ISL2101AABZ
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Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL2101AABZ中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 10 ns
输出接口数 2
输出电流 2 A
耗散功率 2.27 W
上升时间 600 ns
下降时间 600 ns
下降时间Max 600 ns
上升时间Max 600 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 2270 mW
电源电压 9V ~ 14V
电源电压Max 14 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL2101AABZ引脚图与封装图 
ISL2101AABZ引脚图
ISL2101AABZ封装图
ISL2101AABZ封装焊盘图
在线购买ISL2101AABZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL2101AABZ | Intersil 英特矽尔 | 100V,2A峰值,半桥驱动器,3.3V/TTL兼职输入阈值 | 搜索库存 |
替代型号ISL2101AABZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL2101AABZ 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： Surface | 当前型号 | 100V,2A峰值,半桥驱动器,3.3V/TTL兼职输入阈值 | 当前型号 |
| 型号： ISL2101AABZ-T 品牌： 英特矽尔 封装： SOIC | 完全替代 | MOSFET DRVR 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8Pin SOIC T/R | ISL2101AABZ和ISL2101AABZ-T的区别 |