ISL2100AABZ
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Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL2100AABZ中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 10 ns
输出接口数 2
耗散功率 2270 mW
下降时间Max 600 ns
上升时间Max 600 ns
耗散功率Max 2270 mW
电源电压 9V ~ 14V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL2100AABZ引脚图与封装图 
ISL2100AABZ引脚图
ISL2100AABZ封装图
ISL2100AABZ封装焊盘图
在线购买ISL2100AABZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL2100AABZ | Intersil 英特矽尔 | 100V,2A峰值,半桥驱动器,CMOS兼职输入阈值 | 搜索库存 |
替代型号ISL2100AABZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL2100AABZ 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： Surface | 当前型号 | 100V,2A峰值,半桥驱动器,CMOS兼职输入阈值 | 当前型号 |
| 型号： ISL2100AABZ-T 品牌： 英特矽尔 封装： Surface | 完全替代 | 100V, 2A Peak, High Frequency Half-Bridge Drivers | ISL2100AABZ和ISL2100AABZ-T的区别 |
| 型号： NCP3420DR2G 品牌： 安森美 封装： SOIC 4.6V | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NCP3420DR2G MOSFET Driver, 4.6V-13.2V supply, SOIC-8 新 | ISL2100AABZ和NCP3420DR2G的区别 |
| 型号： MIC4424YN 品牌： 微芯 封装： DIP 8Pin | 功能相似 | MICROCHIP MIC4424YN 芯片, 驱动器, 场效应管, MOSFET, 3A, 双路 | ISL2100AABZ和MIC4424YN的区别 |