
上升/下降时间 22ns, 15ns
输出接口数 1
上升时间 35 ns
输出电流Max 2 A
下降时间 25 ns
电源电压 4.5V ~ 35V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99

IXDN609SI引脚图

IXDN609SI封装图

IXDN609SI封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXDN609SI | IXYS Semiconductor | IXD_609 系列 35 V 9 A 表面贴装 低边 Ultrafast MOSFET 驱动器 - SOIC-8EP | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXDN609SI 品牌: IXYS Semiconductor 封装: SOIC-8 | 当前型号 | IXD_609 系列 35 V 9 A 表面贴装 低边 Ultrafast MOSFET 驱动器 - SOIC-8EP | 当前型号 | |
型号: IXDN609SITR 品牌: IXYS Semiconductor 封装: SOIC-8 | 完全替代 | 低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A | IXDN609SI和IXDN609SITR的区别 | |
型号: IXDN409SI 品牌: IXYS Semiconductor 封装: Surface | 类似代替 | MOSFET DRVR 9A 1Out Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC | IXDN609SI和IXDN409SI的区别 |