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ISL6620IBZ

ISL6620IBZ

数据手册.pdf
Intersil 英特矽尔 主动器件
ISL6620IBZ中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.50V min

上升/下降时间 8 ns

输出接口数 2

输出电流 4 A

上升时间 8 ns

下降时间 8 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ISL6620IBZ引脚图与封装图
ISL6620IBZ引脚图

ISL6620IBZ引脚图

ISL6620IBZ封装图

ISL6620IBZ封装图

ISL6620IBZ封装焊盘图

ISL6620IBZ封装焊盘图

在线购买ISL6620IBZ
型号 制造商 描述 购买
ISL6620IBZ Intersil 英特矽尔 VR11.1兼容同步整流降压MOSFET驱动器 VR11.1 Compatible Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers 搜索库存
替代型号ISL6620IBZ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ISL6620IBZ

品牌: Intersil 英特矽尔

封装: SOIC-8 4.5V 8Pin

当前型号

VR11.1兼容同步整流降压MOSFET驱动器 VR11.1 Compatible Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers

当前型号

型号: ISL6620CBZ-T

品牌: 英特矽尔

封装: SOIC-8

完全替代

MOSFET DRVR 4A 2Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8Pin SOIC N T/R

ISL6620IBZ和ISL6620CBZ-T的区别

型号: ISL6620IBZ-T

品牌: 英特矽尔

封装: SOIC-8

完全替代

MOSFET DRVR 4A 2Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8Pin SOIC N T/R

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型号: ISL6620CBZ

品牌: 英特矽尔

封装: SOIC-8 4.5V 8Pin

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