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IS49RL36160-125EBL

IS49RL36160-125EBL

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 800Mhz

DRAM Memory IC 576Mb 16M x 36 Parallel 800MHz 10ns 168-FCLFBGA 13.5x13.5


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IS49RL36160 125EBL


得捷:
IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA


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动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 800Mhz


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DRAM Chip RLDRAM3 576Mbit 16Mx36 1.35V 168-Pin FBGA


Verical:
DRAM Chip RLDRAM3 576Mbit 16Mx36 1.35V 168-Pin FBGA


Win Source:
IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA / DRAM Memory IC 576Mb 16M x 36 Parallel 800 MHz 10 ns 168-FCLFBGA 13.5x13.5


IS49RL36160-125EBL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 1475 mA

位数 36

存取时间 10 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.28V ~ 1.42V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 168

封装 FBGA-168

外形尺寸

封装 FBGA-168

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS49RL36160-125EBL引脚图与封装图
IS49RL36160-125EBL引脚图

IS49RL36160-125EBL引脚图

IS49RL36160-125EBL封装图

IS49RL36160-125EBL封装图

IS49RL36160-125EBL封装焊盘图

IS49RL36160-125EBL封装焊盘图

在线购买IS49RL36160-125EBL
型号 制造商 描述 购买
IS49RL36160-125EBL Integrated Silicon SolutionISSI 动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 800Mhz 搜索库存
替代型号IS49RL36160-125EBL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS49RL36160-125EBL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: FBGA

当前型号

动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 800Mhz

当前型号

型号: IS49RL36160-093BL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: FBGA

完全替代

DRAM Chip RLDRAM3 576M-Bit 16M x 36 1.35V/2.5V 168Pin FCBGA

IS49RL36160-125EBL和IS49RL36160-093BL的区别

型号: IS49RL36160-093BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: FBGA

功能相似

动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz

IS49RL36160-125EBL和IS49RL36160-093BLI的区别