IS49NLC36800-33BL

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

DRAM Chip RLDRAM2 288M-Bit 8M x 36 1.8V/2.5V 144Pin FCBGA

DRAM Memory IC 288Mb 8M x 36 Parallel 300MHz 20ns 144-FCBGA 11x18.5

得捷:
IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA

艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 288Mbit 8Mx36 1.8V 144-Pin FCBGA

Verical:
DRAM Chip DDR RLDRAM2 288Mbit 8Mx36 1.8V 144-Pin FCBGA

Win Source:
IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA / DRAM Memory IC 288Mb 8M x 36 Parallel 300 MHz 20 ns 144-FCBGA 11x18.5

IS49NLC36800-33BL中文资料参数规格

技术参数

供电电流 580 mA

位数 36

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 144

封装 FCBGA-144

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 FCBGA-144

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS49NLC36800-33BL引脚图与封装图

IS49NLC36800-33BL引脚图

IS49NLC36800-33BL封装图

IS49NLC36800-33BL封装焊盘图

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替代型号IS49NLC36800-33BL

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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