IS61QDB22M18-250M3L

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165

SRAM - Synchronous, QUAD Memory IC 36Mb 2M x 18 Parallel 250MHz 7.5ns 165-LFBGA 15x17

得捷:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA

安富利:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA

Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA

Verical:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA

Win Source:
IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA

IS61QDB22M18-250M3L中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.89 V max

供电电流 700 mA

时钟频率 250MHz max

位数 18

存取时间 0.45 ns

内存容量 36000000 B

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.71V ~ 1.89V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS61QDB22M18-250M3L引脚图与封装图

IS61QDB22M18-250M3L引脚图

在线购买IS61QDB22M18-250M3L

型号	制造商	描述	购买
IS61QDB22M18-250M3L	Integrated Silicon SolutionISSI	DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165	搜索库存

替代型号IS61QDB22M18-250M3L

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IS61QDB22M18-250M3L 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： FBGA 36000000B 1.8V	当前型号	DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165	当前型号
型号： IS61QDB22M18A-250M3L 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： FBGA	完全替代	静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 250Mhz QUAD Sync 静态随机存取存储器	IS61QDB22M18-250M3L和IS61QDB22M18A-250M3L的区别
型号： IS61QDB22M18-250M3 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA-165 36000000B 1.8V 4ns	类似代替	SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165Pin FBGA	IS61QDB22M18-250M3L和IS61QDB22M18-250M3的区别
型号： IS61QDB22M18A-250M3LI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： FBGA	类似代替	SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165Pin FBGA	IS61QDB22M18-250M3L和IS61QDB22M18A-250M3LI的区别