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IS49NLC36160-33BLI

IS49NLC36160-33BLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

动态随机存取存储器 576Mbit x36 Common I/O 300MHz RL动态随机存取存储器2

DRAM Memory IC 576Mb 16M x 36 Parallel 300MHz 20ns 144-FCBGA 11x18.5


得捷:
IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 576Mbit x36 Common I/O 300MHz RL动态随机存取存储器2


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 576Mbit 16Mx36 1.8V 144-Pin FCBGA


安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 576M-Bit 16M x 36 1.8V/2.5V 144-Pin FCBGA


IS49NLC36160-33BLI中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间 3.3 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 144

封装 FCBGA-144

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 FCBGA-144

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS49NLC36160-33BLI引脚图与封装图
IS49NLC36160-33BLI封装图

IS49NLC36160-33BLI封装图

IS49NLC36160-33BLI封装焊盘图

IS49NLC36160-33BLI封装焊盘图

在线购买IS49NLC36160-33BLI
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IS49NLC36160-33BLI Integrated Silicon SolutionISSI 动态随机存取存储器 576Mbit x36 Common I/O 300MHz RL动态随机存取存储器2 搜索库存