IS49NLS18160-33B

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DRAM Chip RLDRAM2 288M-Bit 16M x 18 1.8V/2.5V 144Pin FCBGA

DRAM Memory IC 288Mb 16M x 18 Parallel 300MHz 20ns 144-FCBGA 11x18.5

得捷:
IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA

贸泽:
DRAM 288Mbit x18 Separate I/O 300MHz Leaded

艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 288Mbit 16Mx18 1.8V 144-Pin FCBGA

IS49NLS18160-33B中文资料参数规格

技术参数

存取时间 3.3 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-144

外形尺寸

封装 TFBGA-144

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

IS49NLS18160-33B引脚图与封装图

IS49NLS18160-33B封装图

IS49NLS18160-33B封装焊盘图

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