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IS42S32160C-6BLI-TR

IS42S32160C-6BLI-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

IC SDRAM 512Mbit 166MHz 90BGA

SDRAM Memory IC Parallel 166MHz 5.4ns 90-WBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin WBGA T/R


IS42S32160C-6BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42S32160C-6BLI-TR引脚图与封装图
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IS42S32160C-6BLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI IC SDRAM 512Mbit 166MHz 90BGA 搜索库存
替代型号IS42S32160C-6BLI-TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42S32160C-6BLI-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

当前型号

IC SDRAM 512Mbit 166MHz 90BGA

当前型号

型号: IS42S32160F-6BLI-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 90-BGA

类似代替

512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT, T&R

IS42S32160C-6BLI-TR和IS42S32160F-6BLI-TR的区别