IS61NLP25636A-200B3I
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
主动器件
电源电压DC 3.30 V, 3.47 V max
时钟频率 200MHz max
位数 36
存取时间 3.1 ns
存取时间Max 3.1 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.465V
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 BGA-165
封装 BGA-165
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IS61NLP25636A-200B3I | Integrated Silicon SolutionISSI | 静态随机存取存储器 8M 256Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IS61NLP25636A-200B3I 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA 3.3V | 当前型号 | 静态随机存取存储器 8M 256Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v | 当前型号 | |
型号: IS61NLP25636A-200B3LI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA 3.3V | 完全替代 | SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-bit 256K x 36 3.1ns 165Pin BGA | IS61NLP25636A-200B3I和IS61NLP25636A-200B3LI的区别 |