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IS61NLP25636A-200B3I

IS61NLP25636A-200B3I

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

静态随机存取存储器 8M 256Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 9Mb 256K x 36 Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA 13x15


得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 8M 256Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v


艾睿:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-Bit 256K x 36 3.1ns 165-Pin BGA


安富利:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-Bit 256K x 36 3.1ns 165-Pin BGA


Verical:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-bit 256K x 36 3.1ns 165-Pin BGA


IS61NLP25636A-200B3I中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.47 V max

时钟频率 200MHz max

位数 36

存取时间 3.1 ns

存取时间Max 3.1 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 BGA-165

外形尺寸

封装 BGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

IS61NLP25636A-200B3I引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS61NLP25636A-200B3I Integrated Silicon SolutionISSI 静态随机存取存储器 8M 256Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v 搜索库存
替代型号IS61NLP25636A-200B3I
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS61NLP25636A-200B3I

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA 3.3V

当前型号

静态随机存取存储器 8M 256Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

当前型号

型号: IS61NLP25636A-200B3LI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA 3.3V

完全替代

SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-bit 256K x 36 3.1ns 165Pin BGA

IS61NLP25636A-200B3I和IS61NLP25636A-200B3LI的区别