IS61LPS102418B-200B3LI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

SRAM 18Mb 200MHz 3.3V or 2.5V 1Mx18 Sync SRAM

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 200MHz 3ns 165-TFBGA 13x15

得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

贸泽:
SRAM 18Mb 200MHz 3.3V or 2.5V 1Mx18 Sync SRAM

艾睿:
SRAM Chip Sync 3.3V 18M-bit 1M x 18 3ns 165-Pin TEBGA

IS61LPS102418B-200B3LI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 18

存取时间 3 ns

存取时间Max 3 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V

电源电压Max 3.465 V

电源电压Min 3.135 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 TBGA-165

外形尺寸

高度 0.79 mm

封装 TBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS61LPS102418B-200B3LI-TR引脚图与封装图

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