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IPB042N10N3 G

IPB042N10N3 G

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPB042N10N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0036 ohm, 10 V, 2.7 V

Summary of Features:

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Excellent switching performance
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World’s lowest R DSon
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Very low Q g and Q gd
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Excellent gate charge x R DSon product FOM
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RoHS compliant-halogen free
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MSL1 rated 2

Benefits:

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Environmentally friendly
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Increased efficiency
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Highest power density
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Less paralleling required
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Smallest board-space consumption
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Easy-to-design products
IPB042N10N3 G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0036 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 214 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

上升时间 59 ns

输入电容Ciss 8410pF @50VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 214W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Class D audio amplifiers, Uninterruptable power supplies UPS, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPB042N10N3 G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB042N10N3 G Infineon 英飞凌 INFINEON  IPB042N10N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0036 ohm, 10 V, 2.7 V 搜索库存