电源电压DC 3.30 V, 3.47 V max
时钟频率 200MHz max
位数 36
存取时间 3.1 ns
内存容量 9000000 B
存取时间Max 3.1 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.465V
安装方式 Surface Mount
引脚数 100
封装 TQFP-100
封装 TQFP-100
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IS61LPS25636A-200TQI | Integrated Silicon SolutionISSI | 静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IS61LPS25636A-200TQI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: TQFP 9000000B 3.3V 3.1ns 100Pin | 当前型号 | 静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v | 当前型号 | |
型号: IS61LPS25636A-200TQI-TR 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: TQFP 9000000B 3.3V 3.1ns 100Pin | 完全替代 | 静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v | IS61LPS25636A-200TQI和IS61LPS25636A-200TQI-TR的区别 | |
型号: IS61LPS25636A-200TQLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: TQFP 1000000B 3.3V 3.1ns 100Pin | 类似代替 | INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS61LPS25636A-200TQLI IC, SRAM, 8Mbit, 256K x 36Bit, 3.1ns Access Time, Parallel, 3.135V to 3.465V supply, TQFP-100 | IS61LPS25636A-200TQI和IS61LPS25636A-200TQLI的区别 |