IS43TR85120A-15HBLI

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1333MT/s @ 9-9-9, 78 ball BGA 9mm x10.5mm RoHS, IT

SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb 512M x 8 Parallel 667MHz 20ns 78-TWBGA 9x10.5

得捷:
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA

艾睿:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.5V 78-Pin FBGA

安富利:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 512M x 8 1.5V 78-Pin TW-BGA

IS43TR85120A-15HBLI中文资料参数规格

技术参数

存取时间 20 ns

电源电压 1.425V ~ 1.575V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-78

外形尺寸

封装 TFBGA-78

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS43TR85120A-15HBLI引脚图与封装图

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IS43TR85120A-15HBLI	Integrated Silicon SolutionISSI	4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1333MT/s @ 9-9-9, 78 ball BGA 9mm x10.5mm RoHS, IT	搜索库存