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IS46LR32160B-6BLA1

IS46LR32160B-6BLA1

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V Automotive 90Pin TFBGA

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V Automotive 90-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin W-BGA


Win Source:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA / SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb 16M x 32 Parallel 166 MHz 5.5 ns 90-TFBGA 8x13


IS46LR32160B-6BLA1中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS46LR32160B-6BLA1引脚图与封装图
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IS46LR32160B-6BLA1 Integrated Silicon SolutionISSI DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V Automotive 90Pin TFBGA 搜索库存