IS42S86400D-6TL

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

动态随机存取存储器 512M 64Mx8 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

SDRAM 存储器 IC 512Mb（64M x 8）并联 54-TSOP II

得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

贸泽:
动态随机存取存储器 512M 64Mx8 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 64Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II

安富利:
DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 64Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II

IS42S86400D-6TL中文资料参数规格

技术参数

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 6ns, 5.4ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TSOP-54

外形尺寸

高度 1.05 mm

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS42S86400D-6TL引脚图与封装图

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