IS42S16320D-6BL

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

动态随机存取存储器 512M 32Mx16 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

SDRAM 存储器 IC 512Mb（32M x 16）并联 54-TFBGA（8x13）

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54TFBGA

贸泽:
动态随机存取存储器 512M 32Mx16 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA

安富利:
DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 32Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA

IS42S16320D-6BL中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 6ns, 5.4ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS42S16320D-6BL引脚图与封装图

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