电源电压DC 3.30 V, 3.47 V max
供电电流 275 mA
时钟频率 200MHz max
位数 18
存取时间 3.1 ns
内存容量 9000000 B
存取时间Max 3.1 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.465V
电源电压Max 3.465 V
电源电压Min 3.135 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 100
封装 TQFP-100
封装 TQFP-100
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IS61LPS51218A-200TQLI | Integrated Silicon SolutionISSI | SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-bit 512K x 18 3.1ns 100Pin TQFP | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IS61LPS51218A-200TQLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: TQFP 9000000B 3.3V 3.1ns 100Pin | 当前型号 | SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-bit 512K x 18 3.1ns 100Pin TQFP | 当前型号 | |
型号: IS61LPS51218A-200TQI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: TQFP 9000000B 3.3V 3.1ns 100Pin | 完全替代 | SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 512K x 36 3.1ns 100Pin LQFP | IS61LPS51218A-200TQLI和IS61LPS51218A-200TQI的区别 | |
型号: GS880Z18CGT-250V 品牌: GSI 封装: | 功能相似 | 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 18 9M | IS61LPS51218A-200TQLI和GS880Z18CGT-250V的区别 | |
型号: GS88118CGT-200I 品牌: GSI 封装: TQFP | 功能相似 | SRAM Chip Sync Single 2.5V/3.3V 9M-Bit 512K x 18 6.5ns/3ns 100Pin TQFP Tray | IS61LPS51218A-200TQLI和GS88118CGT-200I的区别 |