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IS42VM32160E-6BLI-TR

IS42VM32160E-6BLI-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90Pin TFBGA

SDRAM - 移动 存储器 IC 512Mb(16M x 32) 并联 90-TFBGA(8x13)


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IS42VM32160E 6BLI TR


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IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA


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DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 Mobile SDRAM


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DRAM Chip Mobile LP SDRAM 512Mbit 16M x 32 1.8V 90-Pin TFBGA T/R


IS42VM32160E-6BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

电源电压Max 1.95 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS42VM32160E-6BLI-TR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS42VM32160E-6BLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90Pin TFBGA 搜索库存