IS46DR16640B-3DBLA2-TR

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

动态随机存取存储器 1G 64Mx16 333MHz DDR2 1.8v

SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb 64M x 16 Parallel 333MHz 450ps 84-TWBGA 8x12.5

得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

贸泽:
动态随机存取存储器 1G 64Mx16 333MHz DDR2 1.8v

艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V Automotive 84-Pin TW-BGA T/R

安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin TWBGA T/R

IS46DR16640B-3DBLA2-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 450 ps

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS46DR16640B-3DBLA2-TR引脚图与封装图

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