IS43LR32160C-6BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA 8x13

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IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA

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IS43LR32160C 6BLI TR

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DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA

IS43LR32160C-6BLI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 32

存取时间 6 ns

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS43LR32160C-6BLI-TR引脚图与封装图

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