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IS42S32800D-6B

IS42S32800D-6B

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm

SDRAM Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 90-Pin WBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


IS42S32800D-6B中文资料参数规格
技术参数

供电电流 180 mA

位数 32

存取时间Max 6.5ns, 5.4ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

IS42S32800D-6B引脚图与封装图
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IS42S32800D-6B Integrated Silicon SolutionISSI 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm 搜索库存