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IS43LR32160B-6BL

IS43LR32160B-6BL

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb 16M x 32 Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA


IS43LR32160B-6BL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 110 mA

位数 32

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43LR32160B-6BL引脚图与封装图
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