供电电流 100 mA
位数 16
存取时间 5.4 ns
存取时间Max 5.4 ns
工作温度Max 105 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 54
封装 BGA-54
封装 BGA-54
工作温度 -40℃ ~ 105℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IS45S16800F-7BLA2 | Integrated Silicon SolutionISSI | Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-54 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IS45S16800F-7BLA2 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA | 当前型号 | Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-54 | 当前型号 | |
型号: IS42S16800F-6BLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA | 类似代替 | SDRAM, 8M x 16bit, 5.4ns, 并行接口, BGA-54 | IS45S16800F-7BLA2和IS42S16800F-6BLI的区别 | |
型号: IS42S16800E-6BL 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA | 类似代替 | DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54Pin TFBGA | IS45S16800F-7BLA2和IS42S16800E-6BL的区别 | |
型号: IS45S16800F-6BLA1 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA | 类似代替 | 动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz SDR S动态随机存取存储器 3.3v | IS45S16800F-7BLA2和IS45S16800F-6BLA1的区别 |