IS45S32400F-7BLA2

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

动态随机存取存储器 128Mb, 3.3V, 143MHz 4Mx32 SDR S动态随机存取存储器

SDRAM 存储器 IC 128Mb（4M x 32）并联 143 MHz 5.4 ns 90-TFBGA（8x13）

得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA

贸泽:
动态随机存取存储器 128Mb, 3.3V, 143MHz 4Mx32 SDR S动态随机存取存储器

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V Automotive 90-Pin TFBGA

Verical:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V Automotive 90-Pin TFBGA

IS45S32400F-7BLA2中文资料参数规格

技术参数

供电电流 100 mA

位数 32

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS45S32400F-7BLA2引脚图与封装图

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IS45S32400F-7BLA2	Integrated Silicon SolutionISSI	动态随机存取存储器 128Mb, 3.3V, 143MHz 4Mx32 SDR S动态随机存取存储器	搜索库存

替代型号IS45S32400F-7BLA2

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IS45S32400F-7BLA2 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA	当前型号	动态随机存取存储器 128Mb, 3.3V, 143MHz 4Mx32 SDR S动态随机存取存储器	当前型号
型号： IS42S32400F-6BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA	类似代替	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TWBGA-90	IS45S32400F-7BLA2和IS42S32400F-6BLI的区别
型号： IS42S32400F-7BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 90-BGA	类似代替	128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT	IS45S32400F-7BLA2和IS42S32400F-7BLI的区别
型号： IS45S32400E-7BLA2 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA	功能相似	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	IS45S32400F-7BLA2和IS45S32400E-7BLA2的区别