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IS61NLP25618A-200B3LI-TR

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数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

SRAM Chip Sync Dual 3.3V 4M-Bit 256K x 18 3.1ns 165Pin BGA T/R

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 4.5Mb 256K x 18 Parallel 200MHz 3.1ns 165-PBGA 13x15


立创商城:
IS61NLP25618A 200B3LI TR


得捷:
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA


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SRAM 4M 256Kx18 200MHz Sync SRAM 3.3v


艾睿:
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安富利:
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 4M-Bit 256K x 18 3.1ns 165-Pin PBGA T/R


IS61NLP25618A-200B3LI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间 3.1 ns

存取时间Max 3.1 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V

电源电压Max 3.465 V

电源电压Min 3.135 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 BGA-165

外形尺寸

封装 BGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS61NLP25618A-200B3LI-TR引脚图与封装图
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IS61NLP25618A-200B3LI-TR Integrated Silicon SolutionISSI SRAM Chip Sync Dual 3.3V 4M-Bit 256K x 18 3.1ns 165Pin BGA T/R 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS61NLP25618A-200B3LI-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

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型号: IS61NLP25618A-200B3I-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

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