IS43R86400D-6BLI

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.5V 60Pin TFBGA

SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb（64M x 8）并联 166 MHz 700 ps 60-TFBGA（8x13）

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA

艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.5V 60-Pin TFBGA

安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64M X 8 2.5V 60-Pin TFBGA Tray

Verical:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.5V 60-Pin TFBGA

IS43R86400D-6BLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 370 mA

位数 8

存取时间 700 ps

存取时间Max 0.7 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43R86400D-6BLI引脚图与封装图

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