IS42RM32800K-6BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

256m, 2.5V, Mobile Sdram, 8mx32, 166MHz, 90 Ball Bga 8mmx13

Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA 8x13

得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA

立创商城:
IS42RM32800K 6BLI TR

艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA T/R

IS42RM32800K-6BLI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 32

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 3V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS42RM32800K-6BLI-TR引脚图与封装图

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IS42RM32800K-6BLI-TR	Integrated Silicon SolutionISSI	256m, 2.5V, Mobile Sdram, 8mx32, 166MHz, 90 Ball Bga 8mmx13	搜索库存