IS61LV12824-10BL
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
电子元器件分类
IS61LV12824-10BL中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
位数 24
存取时间 10 ns
内存容量 3000000 B
存取时间Max 10 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.6V
电源电压Max 3.63 V
电源电压Min 2.97 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 119
封装 BGA-119
外形尺寸
封装 BGA-119
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
IS61LV12824-10BL引脚图与封装图
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在线购买IS61LV12824-10BL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS61LV12824-10BL | Integrated Silicon SolutionISSI | SRAM Chip Async Single 3.3V 3M-Bit 128K x 24Bit 10ns 119Pin BGA | 搜索库存 |
替代型号IS61LV12824-10BL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS61LV12824-10BL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： PBGA 3000000B 3.3V 10ns | 当前型号 | SRAM Chip Async Single 3.3V 3M-Bit 128K x 24Bit 10ns 119Pin BGA | 当前型号 |
| 型号： IS61LV12824-10B 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： PBGA 3000000B 3.3V 10ns | 完全替代 | 静态随机存取存储器 3Mb 128Kx24 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v | IS61LV12824-10BL和IS61LV12824-10B的区别 |