IS42RM16160K-75BLI

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 54Pin TFBGA

SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 133MHz 6ns 54-TFBGA 8x8

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IS42RM16160K-75BLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 100 mA

位数 16

存取时间 6 ns

存取时间Max 8ns, 6ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 3V

电源电压Max 3 V

电源电压Min 2.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS42RM16160K-75BLI引脚图与封装图

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