锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IS43LR32800G-6BL

IS43LR32800G-6BL

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA


立创商城:
IS43LR32800G 6BL


贸泽:
动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器


艾睿:
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256M-Bit 8Mx32 1.8V 90-Pin TF-BGA


Verical:
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA


IS43LR32800G-6BL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 130 mA

位数 32

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43LR32800G-6BL引脚图与封装图
IS43LR32800G-6BL引脚图

IS43LR32800G-6BL引脚图

IS43LR32800G-6BL封装图

IS43LR32800G-6BL封装图

IS43LR32800G-6BL封装焊盘图

IS43LR32800G-6BL封装焊盘图

在线购买IS43LR32800G-6BL
型号 制造商 描述 购买
IS43LR32800G-6BL Integrated Silicon SolutionISSI 动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器 搜索库存
替代型号IS43LR32800G-6BL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS43LR32800G-6BL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

当前型号

动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器

当前型号

型号: IS43LR32800F-6BL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

完全替代

IC SDRAM 256Mbit 166MHz 90BGA

IS43LR32800G-6BL和IS43LR32800F-6BL的区别