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IS42SM16160K-75BLI

IS42SM16160K-75BLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin TFBGA

SDRAM - 移动 存储器 IC 256Mb(16M x 16) 并联 133 MHz 6 ns 54-TFBGA(8x8)


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IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA


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IS42SM16160K-75BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 100 mA

位数 16

存取时间 6 ns

存取时间Max 6ns, 8ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS42SM16160K-75BLI引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS42SM16160K-75BLI Integrated Silicon SolutionISSI DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin TFBGA 搜索库存
替代型号IS42SM16160K-75BLI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42SM16160K-75BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

当前型号

DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin TFBGA

当前型号

型号: IS42SM16160E-75BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

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