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IS43DR86400C-3DBLI-TR

IS43DR86400C-3DBLI-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

Ic Sdram 512Mbit 333MHz 60bga

SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb(64M x 8) 并联 333 MHz 450 ps 60-TWBGA(8x10.5)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA


贸泽:
DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA


安富利:
DRAMs Parts and Modules


IS43DR86400C-3DBLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间 450 ps

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 BGA-60

外形尺寸

封装 BGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS43DR86400C-3DBLI-TR引脚图与封装图
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