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IS43DR16640B-25DBLI-TR

IS43DR16640B-25DBLI-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

动态随机存取存储器 1G 64Mx16 400MHz DDR2 1.8v

SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb(64M x 16) 并联 84-TWBGA(8x12.5)


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 1G 64Mx16 400MHz DDR2 1.8v


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA T/R


IS43DR16640B-25DBLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 400 ps

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43DR16640B-25DBLI-TR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS43DR16640B-25DBLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI 动态随机存取存储器 1G 64Mx16 400MHz DDR2 1.8v 搜索库存
替代型号IS43DR16640B-25DBLI-TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS43DR16640B-25DBLI-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

当前型号

动态随机存取存储器 1G 64Mx16 400MHz DDR2 1.8v

当前型号

型号: IS43DR16640B-25DBLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA 84Pin

完全替代

INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI  IS43DR16640B-25DBLI  芯片, 存储器, SDRAM, DDR2, 1GB, 1.8V, 84BGA

IS43DR16640B-25DBLI-TR和IS43DR16640B-25DBLI的区别