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IS43DR16320D-25DBLI

IS43DR16320D-25DBLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb 32M x 16 Parallel 400MHz 400ps 84-TWBGA 8x12.5


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


IS43DR16320D-25DBLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 250 mA

位数 16

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43DR16320D-25DBLI引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS43DR16320D-25DBLI Integrated Silicon SolutionISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2 搜索库存
替代型号IS43DR16320D-25DBLI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS43DR16320D-25DBLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA-84

当前型号

动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2

当前型号

型号: IS43DR16320D-25DBI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 84-BGA

完全替代

512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400MHz @ CL5, 84 ball BGA 8mmx12.5mm, IT

IS43DR16320D-25DBLI和IS43DR16320D-25DBI的区别