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IS43DR16640C-3DBLI

IS43DR16640C-3DBLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84

SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb(64M x 16) 并联 84-TWBGA(8x12.5)


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA


立创商城:
IS43DR16640C 3DBLI


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin TWBGA


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


IS43DR16640C-3DBLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 180 mA

位数 16

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43DR16640C-3DBLI引脚图与封装图
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IS43DR16640C-3DBLI Integrated Silicon SolutionISSI DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84 搜索库存