IS43DR86400C-25DBL

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

DRAM 512M, 1.8V, 400MHz 64Mx8 DDR2

SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb（64M x 8）并联 60-TWBGA（8x10.5）

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA

安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64M X 8 1.8V 60-Pin TWBGA Tray

IS43DR86400C-25DBL中文资料参数规格

技术参数

位数 8

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS43DR86400C-25DBL引脚图与封装图

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IS43DR86400C-25DBL	Integrated Silicon SolutionISSI	DRAM 512M, 1.8V, 400MHz 64Mx8 DDR2	搜索库存