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IS42RM16800H-75BLI

IS42RM16800H-75BLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

128m, 2.5V, Mobile Sdram, 8mx16, 133MHz, 54 Ball Bga 8mmx8mm Rohs, It

SDRAM - 移动 存储器 IC 128Mb(8M x 16) 并联 133 MHz 6 ns 54-TFBGA(8x8)


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA


艾睿:
2M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM


安富利:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 54-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54-Pin TFBGA


IS42RM16800H-75BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 55 mA

位数 16

存取时间 6 ns

存取时间Max 7.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS42RM16800H-75BLI引脚图与封装图
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IS42RM16800H-75BLI Integrated Silicon SolutionISSI 128m, 2.5V, Mobile Sdram, 8mx16, 133MHz, 54 Ball Bga 8mmx8mm Rohs, It 搜索库存