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IS43DR16320D-3DBLI-TR

IS43DR16320D-3DBLI-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333MHz @ CL5, 84 ball BGA 8mmx12.5mm RoHS, IT, T&R

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb 32M x 16 Parallel 333MHz 450ps 84-TWBGA 8x12.5


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA


贸泽:
DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA T/R


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA T/R


IS43DR16320D-3DBLI-TR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 230 mA

位数 16

存取时间 450 ps

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43DR16320D-3DBLI-TR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS43DR16320D-3DBLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333MHz @ CL5, 84 ball BGA 8mmx12.5mm RoHS, IT, T&R 搜索库存