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IS43DR86400D-3DBLI

IS43DR86400D-3DBLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin TW-BGA

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb 64M x 8 Parallel 333MHz 450ps 60-TWBGA 8x10.5


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA


安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 64M x 8 1.8V 60-Pin TWBGA


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA


Win Source:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA / SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb 64M x 8 Parallel 333 MHz 450 ps 60-TWBGA 8x10.5


IS43DR86400D-3DBLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 230 mA

位数 8

存取时间 450 ps

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TWBGA-60

外形尺寸

封装 TWBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43DR86400D-3DBLI引脚图与封装图
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