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IS43DR16640C-3DBL

IS43DR16640C-3DBL

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

动态随机存取存储器 DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16

SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb(64M x 16) 并联 84-TWBGA(8x12.5)


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IS43DR16640C 3DBL


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IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA


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DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


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IS43DR16640C-3DBL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 180 mA

位数 16

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43DR16640C-3DBL引脚图与封装图
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IS43DR16640C-3DBL Integrated Silicon SolutionISSI 动态随机存取存储器 DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16 搜索库存