IS43DR16320D-25DBLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb 32M x 16 Parallel 400MHz 400ps 84-TWBGA 8x12.5

得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA

贸泽:
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2

艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA

安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32M X 16 1.8V 84-Pin TWBGA T/R

IS43DR16320D-25DBLI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43DR16320D-25DBLI-TR引脚图与封装图

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