
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
供电电流 35 mA
位数 8
存取时间 55 ns
内存容量 8000000 B
存取时间Max 55 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.5V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
引脚数 48
封装 BGA-36
封装 BGA-36
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99

IS62WV10248BLL-55BLI引脚图

IS62WV10248BLL-55BLI封装图

IS62WV10248BLL-55BLI封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IS62WV10248BLL-55BLI | Integrated Silicon SolutionISSI | SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 1M x 8 55ns 48Pin Mini-BGA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IS62WV10248BLL-55BLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: mBGA-48 8000000B 3.3V 55ns | 当前型号 | SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 1M x 8 55ns 48Pin Mini-BGA | 当前型号 | |
型号: IS62WV10248BLL-55BI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: 36-MBGA 8000000B 3.3V 55ns | 完全替代 | 静态随机存取存储器 8Mb 1Mbx8 55ns Async 静态随机存取存储器 | IS62WV10248BLL-55BLI和IS62WV10248BLL-55BI的区别 | |
型号: IS61WV10248BLL-10MLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA 3.3V | 类似代替 | 8Mb, High-Speed, Async, 1Mb x 8, 8ns/3.3V, or 10ns/2.4V-3.6V, 48 Ball mBGA 9x11 mm, RoHS | IS62WV10248BLL-55BLI和IS61WV10248BLL-10MLI的区别 | |
型号: CY62158EV30LL-45BVXI 品牌: 赛普拉斯 封装: VFBGA 3.3V | 功能相似 | CY62158EV30 系列 8 Mb 1024 K x 8 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态RAM - VFBGA-48 | IS62WV10248BLL-55BLI和CY62158EV30LL-45BVXI的区别 |