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IS42RM16800H-6BLI

IS42RM16800H-6BLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

128m, 2.5V, Mobile Sdram, 8mx16, 166MHz, 54 Ball Bga 8mmx8mm Rohs, It

SDRAM - 移动 存储器 IC 128Mb(8M x 16) 并联 54-TFBGA(8x8)


立创商城:
IS42RM16800H 6BLI


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA


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2M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM


安富利:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 54-Pin TFBGA


IS42RM16800H-6BLI中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42RM16800H-6BLI引脚图与封装图
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IS42RM16800H-6BLI Integrated Silicon SolutionISSI 128m, 2.5V, Mobile Sdram, 8mx16, 166MHz, 54 Ball Bga 8mmx8mm Rohs, It 搜索库存
替代型号IS42RM16800H-6BLI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42RM16800H-6BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装:

当前型号

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型号: IS42RM16800G-6BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装:

功能相似

Synchronous DRAM, 8MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, LEAD FREE, TFBGA-54

IS42RM16800H-6BLI和IS42RM16800G-6BLI的区别