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IS43DR81280B-3DBL

IS43DR81280B-3DBL

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

动态随机存取存储器 1G 128Mx8 333MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器

SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb(128M x 8) 并联 333 MHz 450 ps 60-TWBGA(8x10.5)


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 1G 128Mx8 333MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA


IS43DR81280B-3DBL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 220 mA

位数 8

存取时间 450 ps

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 BGA-60

外形尺寸

封装 BGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43DR81280B-3DBL引脚图与封装图
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