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IS45S16800F-6TLA1

IS45S16800F-6TLA1

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz SDR S动态随机存取存储器 3.3v

SDRAM Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II


贸泽:
动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz SDR S动态随机存取存储器 3.3v


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V Automotive 54-Pin TSOP-II


安富利:
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8M x 16 3.3V 54-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V Automotive 54-Pin TSOP-II


IS45S16800F-6TLA1中文资料参数规格
技术参数

供电电流 120 mA

位数 16

存取时间 6 ns

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TSOP-54

外形尺寸

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS45S16800F-6TLA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS45S16800F-6TLA1 Integrated Silicon SolutionISSI 动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz SDR S动态随机存取存储器 3.3v 搜索库存
替代型号IS45S16800F-6TLA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS45S16800F-6TLA1

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: TSOP2

当前型号

动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz SDR S动态随机存取存储器 3.3v

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型号: IS45S16800E-6TLA1

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装:

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