IS43DR16160B-37CBLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 267MHz 16M x 16 DDR2

SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb（16M x 16）并联 84-TWBGA（8x12.5）

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IS43DR16160B 37CBLI TR

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IS43DR16160B-37CBLI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 500 ps

存取时间Max 0.5 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43DR16160B-37CBLI-TR引脚图与封装图

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IS43DR16160B-37CBLI-TR	Integrated Silicon SolutionISSI	动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 267MHz 16M x 16 DDR2	搜索库存

替代型号IS43DR16160B-37CBLI-TR

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IS43DR16160B-37CBLI-TR 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA	当前型号	动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 267MHz 16M x 16 DDR2	当前型号
型号： IS43DR16160A-37CBLI-TR 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA	类似代替	动态随机存取存储器 256M 16Mx16 267MHz DDR2 1.8v	IS43DR16160B-37CBLI-TR和IS43DR16160A-37CBLI-TR的区别
型号： IS43DR16160B-37CBLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 84-TFBGA 84Pin	功能相似	动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器	IS43DR16160B-37CBLI-TR和IS43DR16160B-37CBLI的区别
型号： IS43DR16160A-5BBLI-TR 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TFBGA	功能相似	256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 200MHz @ CL3, 84 Ball BGA 8mmx12.5mm , IT, T&R	IS43DR16160B-37CBLI-TR和IS43DR16160A-5BBLI-TR的区别