IS43TR16640BL-125JBL

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS

SDRAM - DDR3L Memory IC 1Gb 64M x 16 Parallel 800MHz 20ns 96-TWBGA 9x13

得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA

艾睿:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA

安富利:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 1Gbit 64M X 16 1.35V 96-Pin TWBGA Tray

Verical:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA

IS43TR16640BL-125JBL中文资料参数规格

技术参数

供电电流 200 mA

时钟频率 800 MHz

位数 16

存取时间 20 ns

存取时间Max 0.225 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.283V ~ 1.45V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 96

封装 TFBGA-96

外形尺寸

封装 TFBGA-96

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43TR16640BL-125JBL引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
IS43TR16640BL-125JBL	Integrated Silicon SolutionISSI	1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS	搜索库存

替代型号IS43TR16640BL-125JBL

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IS43TR16640BL-125JBL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 96-TFBGA	当前型号	1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS	当前型号
型号： IS43TR16640BL-125JBL-TR 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 96-TFBGA	完全替代	1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS, T&R	IS43TR16640BL-125JBL和IS43TR16640BL-125JBL-TR的区别
型号： IS43TR16640BL-125JBLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 96-TFBGA	类似代替	1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS, IT	IS43TR16640BL-125JBL和IS43TR16640BL-125JBLI的区别
型号： IS43TR16640AL-125JBL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 96-BGA	功能相似	1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS	IS43TR16640BL-125JBL和IS43TR16640AL-125JBL的区别