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IS43LR16800G-6BLI

IS43LR16800G-6BLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

128m, 1.8V, Mobile Ddr, 8mx16, 166MHz, 60 Ball Bga 8mmx10mm Rohs, It

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb(8M x 16) 并联 166 MHz 5.5 ns 60-TFBGA(8x10)


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IS43LR16800G 6BLI


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA


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DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA


IS43LR16800G-6BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 80 mA

位数 16

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43LR16800G-6BLI引脚图与封装图
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在线购买IS43LR16800G-6BLI
型号 制造商 描述 购买
IS43LR16800G-6BLI Integrated Silicon SolutionISSI 128m, 1.8V, Mobile Ddr, 8mx16, 166MHz, 60 Ball Bga 8mmx10mm Rohs, It 搜索库存
替代型号IS43LR16800G-6BLI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS43LR16800G-6BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: TFBGA

当前型号

128m, 1.8V, Mobile Ddr, 8mx16, 166MHz, 60 Ball Bga 8mmx10mm Rohs, It

当前型号

型号: IS43LR16800F-6BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA-60

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